Статьи автора

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ РУТЕНИЕВЫХ ДОРОЖЕК С ПЛОЩАДЬЮ ПОПЕРЕЧНОГО СЕЧЕНИЯ МЕНЕЕ 1000 нм

от 01.02.2025

По мере масштабирования ИС возникает необходимость формирования дорожек с шириной менее 20 нм на нижних уровнях системы металлизации. Медь при таких размерах перестает удовлетворять требованиям к RC-задержкам и устойчивости к электромиграции. Поэтому необходимо искать альтернативные материалы на замену меди, которые будут обеспечивать более высокую устойчивость к электромиграции и более низкое сопротивлением дорожек. Наиболее перспективным кандидатом является Ru. В этом исследовании были получены тестовые структуры с дорожками из рутения. Для этого применялись такие методы создания структур, как плазмостимулированное осаждение из газовой фазы, плазмостимулированное атомно-слоевое осаждение, магнетронное распыление, электронно-лучевая литография, плазмохимическое травление. Для контроля на этапах создания и исследования получившихся структур использовалась спектроскопическая эллипсометрия, сканирующая электронная микроскопия. Электрические характеристики структур были измерены и проанализированы.

128 0

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ РУТЕНИЕВЫХ ДОРОЖЕК С ПЛОЩАДЬЮ ПОПЕРЕЧНОГО СЕЧЕНИЯ МЕНЕЕ 1000 нм

Номер выпуска 2 от 01.02.2025

По мере масштабирования ИС возникает необходимость формирования дорожек с шириной менее 20 нм на нижних уровнях системы металлизации. Медь при таких размерах перестает удовлетворять требованиям к RC-задержкам и устойчивости к электромиграции. Поэтому необходимо искать альтернативные материалы на замену меди, которые будут обеспечивать более высокую устойчивость к электромиграции и более низкое сопротивлением дорожек. Наиболее перспективным кандидатом является Ru. В этом исследовании были получены тестовые структуры с дорожками из рутения. Для этого применялись такие методы создания структур, как плазмостимулированное осаждение из газовой фазы, плазмостимулированное атомно-слоевое осаждение, магнетронное распыление, электронно-лучевая литография, плазмохимическое травление. Для контроля на этапах создания и исследования получившихся структур использовалась спектроскопическая эллипсометрия, сканирующая электронная микроскопия. Электрические характеристики структур были измерены и проанализированы.

50 0