Статьи автора

Материалы для межсоединений интегральных схем с проектными нормами менее 5 нм

Номер выпуска 1 от 16.09.2025

По мере масштабирования интегральных схем на нижних уровнях системы металлизации возникает проблема — сопротивление медных дорожек быстро растет с уменьшением размеров. Это связано с увеличением вклада рассеяния электронов на поверхности и на границах зерен. Кроме того, для медных линий требуются барьерные слои фиксированной толщины, необходимые для предотвращения диффузии меди в low-k диэлектрик. Когда сечение дорожек уменьшается, вклад барьерных слоев в сопротивление дорожки оказывается слишком высоким. К тому же, при ширине дорожки менее 10 нм устойчивость меди к электромиграции оказывается недостаточна. Поэтому необходимо искать альтернативные материалы на замену меди, которые будут обеспечивать высокую устойчивость к электромиграции и низкое сопротивлением дорожек. Наиболее перспективными кандидатами являются Ru, Mo, Rh, Ir. Достоинства и недостатки этих материалов рассмотрены в данной работе.

95 0

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ РУТЕНИЕВЫХ ДОРОЖЕК С ПЛОЩАДЬЮ ПОПЕРЕЧНОГО СЕЧЕНИЯ МЕНЕЕ 1000 нм

Номер выпуска 2 от 18.03.2025

По мере масштабирования ИС возникает необходимость формирования дорожек с шириной менее 20 нм на нижних уровнях системы металлизации. Медь при таких размерах перестает удовлетворять требованиям к RC-задержкам и устойчивости к электромиграции. Поэтому необходимо искать альтернативные материалы на замену меди, которые будут обеспечивать более высокую устойчивость к электромиграции и более низкое сопротивлением дорожек. Наиболее перспективным кандидатом является Ru. В этом исследовании были получены тестовые структуры с дорожками из рутения. Для этого применялись такие методы создания структур, как плазмостимулированное осаждение из газовой фазы, плазмостимулированное атомно-слоевое осаждение, магнетронное распыление, электронно-лучевая литография, плазмохимическое травление. Для контроля на этапах создания и исследования получившихся структур использовалась спектроскопическая эллипсометрия, сканирующая электронная микроскопия. Электрические характеристики структур были измерены и проанализированы.

15 0