By this author

Molecular Layering of an Additive Layer of Silicon Dioxide on Anodized Tantalum and Niobium Oxides

Issue number 1 from 16.09.2025

Представлены результаты изучения процессов формирования нанослоев оксида кремния методом молекулярного наслаивания (атомно-слоевого осаждения) на поверхности пленок оксидов тантала и ниобия, полученных электрохимическим окислением соответствующих металлов. Исследование электрической прочности структур металл—диэлектрик—металл (МДМ) на основе оксидов тантала и ниобия показало, что введение аддитивного слоя диэлектрика (SiO₂) позволяет значительно повысить электрическую прочность указанных структур.

102 0