Статьи автора

Применение спектральной эллипсометрии для диэлектрических, металлических и полупроводниковых пленок в технологии микроэлектроники

Номер выпуска 1 от 16.09.2025

В статье рассматриваются модельные и безмодельные подходы к решению задач спектральной эллипсометрии в применении для задач микроэлектроники, связанных с измерением толщин и оптических параметров тонких слоев диэлектриков, металлов и полупроводников. В основе модельных подходов лежит использование априорной информации о виде дисперсионного соотношения Коши, Друде, Друде—Лоренца и Тауца—Лоренца. Безмодельные подходы могут использовать любую гладкую многопараметрическую функциональную зависимость, способную описать плавную спектральную кривую. Также для реализации безмодельного подхода можно использовать машинное обучение, которое хорошо подходит для определения толщины многослойных структур и их оптических характеристик и позволяет существенно повысить скорость обработки данных.

84 0