Статьи автора

Перенос электронов в биполярном транзисторе со сверхрешеткой в области эмиттера

Номер выпуска 1 от 16.09.2025

Проведен расчет семейства передаточных и выходных характеристик гетеробиполярного транзистора с короткопериодной сверхрешеткой в области эмиттера. Показано, что наличие сверхрешетки в структуре транзистора приводит к формированию области с отрицательной дифференциальной проводимостью, что позволяет реализовать не только усиление, но также генерацию и умножение высокочастотных колебаний.

84 0