By this author

Plasmochemical and Reactive Ion Etching of Gallium Arsenide in Difluorodichloromethane with Helium

Issue number 4 from 01.04.2024

Экспериментально исследована кинетика взаимодействия высокочастотной плазмы дифтордихлорметана и его смеси с гелием, поверхностью арсенида галлия. Установлено, что в исследованном диапазоне условий происходит полное разложение исходной молекулы дифтордихлорметана до атомарного углерода. Подтверждено, что основными химически активными частицами, обеспечивающими травление, являются химически активные атомы хлора. Показано, что процесс травления протекает в режиме ионно-стимулированной химической реакции, где существенную роль в очистке поверхности играет десорбция продуктов под действием ионной бомбардировки. Проанализированы эмиссионные спектры излучения плазмы в присутствии полупроводниковой пластины арсенида галлия. Выбраны контрольные линии и полосы для контроля скорости процесса травления по интенсивности излучения линий и полос продуктов травления.

193 0