Статьи автора

Анализ механизмов рассеяния носителей в AlN/GaN HEMT-гетероструктурах с ультратонким AlN барьером

Номер выпуска 3 от 01.03.2024

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией азота получены экспериментальные AlN/GaN гетероструктуры (ГС) с ультратонким AlN барьером. Слоевое сопротивление оптимизированных структур составило менее 230 Ом/¨. Исследованы процессы рассеяния, ограничивающие подвижность двумерного электронного газа в нелегированных AlN/GaN ГС с ультратонким AlN барьером. Показано, что в диапазоне n_s, характерном для AlN/GaN HEMT ГС (n_s > 1 × 10¹³ см^–2), заметный вклад в рассеяние носителей заряда вносит шероховатость гетерограницы.

176 0