By this author

Carrier Scattering Analysis in AlN/GaN HEMT Heterostructures with an Ultrathin AlN Barrier

Issue number 3 from 01.03.2024

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией азота получены экспериментальные AlN/GaN гетероструктуры (ГС) с ультратонким AlN барьером. Слоевое сопротивление оптимизированных структур составило менее 230 Ом/¨. Исследованы процессы рассеяния, ограничивающие подвижность двумерного электронного газа в нелегированных AlN/GaN ГС с ультратонким AlN барьером. Показано, что в диапазоне n_s, характерном для AlN/GaN HEMT ГС (n_s > 1 × 10¹³ см^–2), заметный вклад в рассеяние носителей заряда вносит шероховатость гетерограницы.

177 0