Статьи автора

Применение спектральной эллипсометрии для диэлектрических, металлических и полупроводниковых пленок в технологии микроэлектроники

Номер выпуска 1 от 01.01.2024

В статье рассматриваются модельные и безмодельные подходы к решению задач спектральной эллипсометрии в применении для задач микроэлектроники, связанных с измерением толщин и оптических параметров тонких слоев диэлектриков, металлов и полупроводников. В основе модельных подходов лежит использование априорной информации о виде дисперсионного соотношения Коши, Друде, Друде—Лоренца и Тауца—Лоренца. Безмодельные подходы могут использовать любую гладкую многопараметрическую функциональную зависимость, способную описать плавную спектральную кривую. Также для реализации безмодельного подхода можно использовать машинное обучение, которое хорошо подходит для определения толщины многослойных структур и их оптических характеристик и позволяет существенно повысить скорость обработки данных.

172 0

Параметры и состав плазмы в смеси CF₄ + H₂ + Ar: эффект соотношения CF₄/H₂

Номер выпуска 1 от 01.01.2024

Проведено исследование электрофизических параметров плазмы и кинетики плазмохимических процессов в смеси CF₄ + H₂ + Ar при варьировании соотношения CF₄/H₂. При совместном использовании методов диагностики и моделирования плазмы установлено, что замещение тетрафторметана на водород: а) приводит к снижению плотности и росту электроотрицательности плазмы; б) вызывает непропорционально резкое падение концентрации атомов фтора. Причиной последнего эффекта является увеличение частоты гибели атомов в реакциях вида CHF_x + F → CF_x + HF, инициируемых гетерогенной рекомбинацией по механизму CF_x + H → CHF_x. Одновременное увеличение концентрации полимеробразующих радикалов СH_xF_y (x + y < 3) свидетельствует от росте полимеризационной нагрузки плазмы на контактирующие с ней поверхности.

221 0