Статьи автора

Анализ неоднородностей DpHEMT-структуры на основе GaAs/In_0.53Ga_0.47As после нейтронного воздействия

Номер выпуска 1 от 01.01.2024

В работе приведены результаты исследований вольт-фарадных характеристик GaAs/In_0.53Ga_0.47As HEMT до и после нейтронного облучения флюенсом (6.3 ± 1.3) × 10¹⁴ у. е. На основании экспериментально полученных характеристик проведены расчеты эффективных профилей распределения электронов исследуемой структуры до и после облучения. Проведен анализ влияния радиационных дефектов на δ-слои исследуемой структуры.

165 0

Перенос электронов в биполярном транзисторе со сверхрешеткой в области эмиттера

Номер выпуска 1 от 01.01.2024

Проведен расчет семейства передаточных и выходных характеристик гетеробиполярного транзистора с короткопериодной сверхрешеткой в области эмиттера. Показано, что наличие сверхрешетки в структуре транзистора приводит к формированию области с отрицательной дифференциальной проводимостью, что позволяет реализовать не только усиление, но также генерацию и умножение высокочастотных колебаний.

151 0