Статьи автора

Электрофизические параметры <i>p-i-n</i>-фотодиодов, облученных γ-квантами ⁶⁰Со

Номер выпуска 6 от 01.06.2023

Представлены результаты исследований изменения электрофизических параметров p-i-n-фотодиодов изготовленных на пластинах монокристаллического кремния p-типа проводимости ориентации (100) с ρ = 1000 Ом см, при облучении γ-квантами от источника ⁶⁰Со. Установлено, что в результате облучения p-i-n-фотодиодов дозами до 2 × 10¹⁵ квант/см² происходит увеличение обратного темнового тока более, чем на порядок. Однако форма кривой зависимости тока от приложенного обратного напряжения облученных p-i-n-фотодиодов качественно не изменяется, как и для исходных приборов имеют место три области с различной зависимостью тока от напряжения: сублинейной, суперлинейной и линейной, обусловленные различными механизмами генерационно-рекомбинационных процессов в области обеднения p-n-перехода. Основной причиной возрастания обратного тока p-i-n-фотодиодов в результате облучения γ-квантами является образование генерационно-рекомбинационных центров радиационного происхождения вследствие конденсация первичных радиационных дефектов (вакансий и/или собственных междоузельных атомов) на технологических остаточных дефектах структуры, сформировавшихся как во время выращивания монокристаллов кремния, так и при последующих высокотемпературных обработках в процессе формирования приборов.

84 0