Parameters and Composition of Plasma in a Mixture of CF4 + H2 + Ar: Effect of the CF4/H2 Ratio

Issue number 1 from 01.01.2024

Проведено исследование электрофизических параметров плазмы и кинетики плазмохимических процессов в смеси CF₄ + H₂ + Ar при варьировании соотношения CF₄/H₂. При совместном использовании методов диагностики и моделирования плазмы установлено, что замещение тетрафторметана на водород: а) приводит к снижению плотности и росту электроотрицательности плазмы; б) вызывает непропорционально резкое падение концентрации атомов фтора. Причиной последнего эффекта является увеличение частоты гибели атомов в реакциях вида CHF_x + F → CF_x + HF, инициируемых гетерогенной рекомбинацией по механизму CF_x + H → CHF_x. Одновременное увеличение концентрации полимеробразующих радикалов СH_xF_y (x + y < 3) свидетельствует от росте полимеризационной нагрузки плазмы на контактирующие с ней поверхности.

225 0

Evolution of the Current-Voltage Characteristic of a Bipolar Memristor

Issue number 4 from 01.04.2024

Предложена теоретическая модель, способная описать вольт-амперную характеристику для биполярного мемристора филаментарного типа при обратимых переключениях. Модель позволяет описать ВАХи разного вида, наблюдаемые в экспериментах. Установлено, что изначально сформованный филамент после ряда переключений приобретает стационарную форму, многократно воспроизводящую ВАХ при дальнейших переключениях.

211 0

Gas Phase Composition and Fluorine Atom Kinetics in SF6 Plasma

Issue number 6 from 01.06.2024

Проведено модельное исследование состава нейтральной и заряженной компонент плазмы SF₆ в широком диапазоне концентраций электронов. Выявлены ключевые плазмохимические процессы, формирующие стационарные концентрации атомов фтора в условиях плазмы низкой и высокой плотности. Показано, что оптимизированные (сокращенные за счет не эффективных реакций) кинетические схемы обеспечивают удовлетворительное согласие результатов расчета с экспериментальными данными из литературных источников.

215 0

Mechanisms of the Redistribution of Carbon Contamination in Films Formed by Atomic Layer Deposition

Issue number 4 from 01.04.2023

Экспериментально и теоретически изучено распределение примеси углерода по глубине в пленках оксида гафния, полученных методом плазмостимулированного атомно-слоевого осаждения. Предложена аналитическая модель, описывающая зависимость профиля концентрации примеси углерода в пленке. Модель учитывает, что причиной образования примеси углерода в растущей пленке может быть неполное протекание реакции окисления металлорганического прекурсора. Диффузионное перераспределение примеси определяется механизмами, учитывающими наличие углерода в состояниях разной природы: нерастворимом состоянии (карбиды, карбонаты), высокоподвижном состоянии (CO, CO₂) и неустойчивом состоянии, время жизни которого больше времени роста пленки. Показана возможность контроля примеси углерода как в глубоких, так и в приповерхностных слоях. Предсказания модели были подтверждены экспериментально с помощью масс-спектрометрии вторичных ионов в пленках, полученных методом атомно-слоевого осаждения. Для проверки теории были разработаны специальные структуры оксида гафния, состоящие из нескольких слоев, в которых изменялось время воздействия плазмой на образец при одинаковой дозировке металорганического прекурсора. На подложку наносился слой с наименьшим временем воздействия плазмой, затем такое же количество циклов на следующем слое проходило, при условии увеличения времени экспозиции в n раз. Это позволило углубить переходные зоны и тем самым защитить их от воздействия атмосферы.

107 0