Статьи автора

Моделирование кремниевых полевых с полностью охватывающим затвором нанотранзисторов с высоким <i>k</i> подзатворного диэлектрика

Номер выпуска 4 от 01.04.2023

Обсуждаются электрофизические характеристики кремниевого цилиндрического с полностью охватывающим затвором полевого нанотранзистора с диэлектриками подзатворного окисла Al₂O₃ и HfO₂. Результаты численного моделирования показывают, что использование диэлектриков с высоким k оказывает заметное влияние на все основные характеристики транзистора по сравнению с оксидом кремния. Из полученных данных следует, что при масштабировании степень деградации электро-физических характеристик транзистора коррелирует с уровнем k – она снижается с ростом k. Это связываем с тем, что уменьшение влияния затвора на характеристики транзисторной структуры, особенно в подпороговой области, частично компенсируется использованием диэлектриков с высоким k.

85 0

Влияние деградации горячих носителей на характеристики высоковольтного КНИ транзистора с большой областью дрейфа

Номер выпуска 5 от 01.05.2023

Обсуждаются результаты исследования влияния деградации горячих носителей на электрофизические характеристики мощных LDMOS (laterally-diffused metal-oxide semiconductor) транзисторов, выполненных по технологии “кремний на изоляторе”, с длинной областью дрейфа с топологическими нормами 0.5 микрон. Анализ деградации горячих носителей в высоких электрических полях выполнен на основании экспериментальных результатах и дополнительном использовании аналитической модели. Физическое происхождение данного механизма связано с образованием ловушек на границе раздела Si/SiO₂. С помощью численного анализа и экспериментов электрические характеристики КНИ nLDMOS-транзисторов рассмотрены в широком диапазоне управляющих напряжений с целью изучения влияния на зону безопасной эксплуатации и надежность устройства в условиях деградации горячих носителей. Результаты этих исследований позволяют сделать вывод о возможности 20%-го расширения зоны безопасной эксплуатации.

86 0