Статьи автора

Оксидные мемристоры для ReRAM: подходы, характеристики, структуры

Номер выпуска 2 от 01.02.2023

Эта обзорная статья посвящена оксидным мемристорам для резистивной памяти с произвольным доступом (ReRAM). Рассмотрены возможные практические реализации ReRAM и проблема утечек через соседние элементы в ReRAM. Кратко описаны основные типы резистивного переключения в мемристорах, а также разобраны основные механизмы резистивного переключения. Также описаны основные характеристики мемристоров, необходимые для ReRAM. Разобраны некоторые мемристорные структуры на основе оксидов титана, кремния, тантала, гафния, а также многослойные оксидные структуры. Выделены текущие проблемы при создании ReRAM.

95 0