By this author

Carrier Scattering Analysis in AlN/GaN HEMT Heterostructures with an Ultrathin AlN Barrier

Issue number 3 from 01.03.2024

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией азота получены экспериментальные AlN/GaN гетероструктуры (ГС) с ультратонким AlN барьером. Слоевое сопротивление оптимизированных структур составило менее 230 Ом/¨. Исследованы процессы рассеяния, ограничивающие подвижность двумерного электронного газа в нелегированных AlN/GaN ГС с ультратонким AlN барьером. Показано, что в диапазоне n_s, характерном для AlN/GaN HEMT ГС (n_s > 1 × 10¹³ см^–2), заметный вклад в рассеяние носителей заряда вносит шероховатость гетерограницы.

177 0

<i>III</i>-nitride HEMT Heterostructures with an Ultrathin <i>AlN</i> Barrier: Fabrication and Experimental Application

Issue number 6 from 01.06.2024

Методом МЛЭ с плазменной активацией азота получены III-нитридные HEMT гетероструктуры, содержащие ультратонкий барьер AlN. Исследовано влияние режимов нуклеации и роста буферного слоя на кристаллическое качество, морфологию поверхности и электрофизические свойства экспериментальных ГС. Слоевое сопротивление оптимизированной ГС составило менее 230 Ом/□. Изготовлены тестовые СВЧ транзисторы с затвором Шоттки. Предложена параметрическая модель HEMT на основе AlN/GaN ГС.

187 0

Разработка методики построения нелинейной модели метаморфного 0.15 мкм МHEMT InAlAs/InGaAs транзистора

Issue number 1 from 01.01.2023

В статье рассматривается высокоточная методика моделирования InAlAs/InGaAs MHEMT транзисторов СВЧ диапазона частот с длиной затвора 0.15 мкм. Описанная методика учитывает нелинейные зависимости внутренних параметров от приложенных напряжений. Установлено, что максимальная ошибка моделирования не превышает 1.5% в диапазоне частот от 1 до 50 ГГц.

71 0

Design of a Nonlinear Model of a Pseudomorphic 0.15 μm рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs Transistor

Issue number 3 from 01.03.2023

В работе проводится построение нелинейной модели AlGaAs/InGaAs/GaAs рHEMT СВЧ транзисторов с длиной затвора 0.15 мкм с применением параметрических методов анализа. При расчетах были учтены не только нелинейные источники тока, но и зависимости нелинейных емкостей затвор-исток и затвор-сток от напряжений. Показано, что предложенная модель достаточно удовлетворительно позволяет описать вольт-амперные характеристики исследуемого прибора в диапазоне токов на стоке от 0 до 100 мА и диапазоне частот от 5 до 45 ГГц. Погрешность модели не превышает 3%.

71 0