By this author

Research of Memristor Effect in Crossbar Architecture for Neuromorphic Artificial Intelligence Systems

Issue number 1 from 01.01.2024

В данной статье представлены результаты экспериментальных исследований структур, сформированных на основе кроссбар-архитектуры мемристорных структур из различных материалов. В качестве рабочего мемристорного слоя был использован TiO₂. В качестве материала для контактных площадок были использованы: Al, Ni, Cr, Mo, Ta, Ag. В ходе проведения экспериментальных исследований было выявлено оптимальное сочетание материалов для формирования кроссбар мемристорных структур, которые в дальнейшем могут быть использованы в устройствах нейроморфных систем искусственного интеллекта.

166 0

Design of integrated voltage multipliers using standard CMOS technologies

Issue number 6 from 01.06.2023

Представлены результаты проектирования интегральных многокаскадных умножителей напряжения как компонентов модулей питания беспроводных пассивных микроустройств. Рассмотрены значимые для построения умножителей параметры транзисторов, представленных в трех типовых КМОП-технологиях: CM018G 180 нм, HCMOS8D 180 нм и C250G 250 нм. Результаты моделирования в САПР Cadence показали, что при реализации восьмикаскадного умножителя по технологии CM018G минимально необходимый для работы микросхемы уровень выходного напряжения достигается при входной амплитуде 250 мВ, а при реализации аналогичного устройства по технологии HCMOS8D – при амплитуде 375 мВ. На примере построенного шестнадцатикаскадного умножителя показано, что значения эффективности умножения напряжения составляют от 20 до 54% для широкого диапазона входного напряжения, причем эффективность снижается всего на 1–3% по сравнению с восьмикаскадной реализацией. Предложенные рекомендации по проектированию интегральных выпрямителей-умножителей напряжения могут найти применение при разработке пассивных модулей питания микроэлектронных устройств.

100 0