By this author

Multilayer Epitaxial Silicon Structures With Submicron Layers Grown By Sublimation Molecular Beam Epitaxy

Issue number 4 from 15.05.2025

Исследованы многослойные кремниевые диодные структуры с базовыми субмикронными слоями n- и p-типов проводимости, выращенные методом сублимационной молекулярно-пучковой эпитаксии. Определены профили распределения концентрации носителей заряда в активной области указанных структур. Установлено, что предложенный метод обеспечивает равномерное распределение концентрации носителей заряда по толщине слоев и резкое изменение на границе с подложкой или другим слоем. Такие структуры перспективны для изготовления диодов.

47 0