Статьи автора

Многослойные эпитаксиальные кремниевые структуры с субмикронными слоями, выращенными сублимационной молекулярно-пучковой эпитаксией

Номер выпуска 4 от 15.05.2025

Исследованы многослойные кремниевые диодные структуры с базовыми субмикронными слоями n- и p-типов проводимости, выращенные методом сублимационной молекулярно-пучковой эпитаксии. Определены профили распределения концентрации носителей заряда в активной области указанных структур. Установлено, что предложенный метод обеспечивает равномерное распределение концентрации носителей заряда по толщине слоев и резкое изменение на границе с подложкой или другим слоем. Такие структуры перспективны для изготовления диодов.

44 0