ОНИТМикроэлектроника Russian Microelectronics

  • ISSN (Print) 0544-1269
  • ISSN (Online) 3034-5480

Моделирование особенностей работы мемристивного кроссбар-массива в нейроморфных электронных модулях

Код статьи
10.31857/S0544126924060031-1
DOI
10.31857/S0544126924060031
Тип публикации
Статья
Статус публикации
Опубликовано
Авторы
Том/ Выпуск
Том 53 / Номер выпуска 6
Страницы
483-495
Аннотация
Разработаны модель и методика моделирования мемристивных кроссбар-массивов с учетом падений напряжения на межсоединениях, шага перестройки уровней проводимости мемристивных элементов и нелинейности их вольт-амперных характеристик. Получены результаты тестирования импульсной нейронной сети в инференс-режиме в задаче распознавания изображений с применением разработанной методики моделирования с учетом характеристик экспериментально изготовленных мемристорных структур.
Ключевые слова
импульсные нейронные сети мемристивный кроссбар-массив
Дата публикации
01.06.2024
Год выхода
2024
Всего подписок
0
Всего просмотров
150

Библиография

  1. 1. Mutlu O., Ghose S., Gómez-Luna J., and Ausavarungnirun R. Processing data where it makes sense: Enabling in-memory computation // Proc. MICPRO, 2019. P. 28–41. DOI: 10.1016/j.micpro.2019.01.009.
  2. 2. Li C., Hu M., Li Y. et al. Analogue signal and image processing with large memristor crossbars // Nature Electronics, 2018. V. 1. P. 52–59. DOI: 10.1038/s41928-017-0002-z.
  3. 3. Li C., Belkin D., Li Y. et al. Efficient and self-adaptive in-situ learning in multilayer memristor neural networks // Nature Communication, 2018. V. 9. № 1. P. 2385-12385-8. DOI: 10.1038/s41467-018-04484-2.
  4. 4. Li C., Wang Z., Rao M. et al. Long short-term memory networks in memristor crossbar arrays // Nature Machine Intelligence, 2019. V. 1. № 1. P. 49–57. DOI: 10.1038/s42256-018-0001-4.
  5. 5. Hu M., Graves C. E., Li C. et al. Memristor-based analog computation and neural network classification with a dot product engine // Advanced Materials, 2018. V. 30. № 9. P. 1705914-1–1705914-5. DOI: 10.1002/adma.201705914.
  6. 6. Sheridan P., Cai F., Du C. et al. Sparse coding with memristor networks // Nature Nanotechnology, 2017. V. 12. № 8. P. 784–789. DOI: 10.1038/nnano.2017.83.
  7. 7. Du C., Cai F., Zidan M.A. et al. Reservoir computing using dynamic memristors for temporal information processing // Nature Communications, 2017. V. 8. 2204. https://doi.org/10.1038/s41467-017-02337-y.
  8. 8. Marinella M.J., Agarwal S., Hsia A., Richter I., Jacobs-Gedrim R., Niroula J., Plimpton S.J., Ipek E., James C.D. Multiscale Co-Design Analysis of Energy, Latency, Area, and Accuracy of a ReRAM Analog Neural Training Accelerator // IEEE Journal on Emerging and Selected Topics in Circuits and Systems, 2017. PP. 1–14. 10.1109/JETCAS.2018.2796379.
  9. 9. Xu H., Sun Y., Zhu Y., Wang X., Qin G. Statistical Temperature Coefficient Distribution in Analog RRAM Array: Impact on Neuromorphic System and Mitigation Method // https://arxiv.org/pdf/2105.05534, 2021.
  10. 10. Akhmetov Y., James A.P. Probabilistic Neural Network with Memristive Crossbar Circuits // IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), Sapporo, Japan, 2019. P. 1–5. DOI: 10.1109/ISCAS.2019.8702153.
  11. 11. Gu P., Li B., Tang T. et al. Technological exploration of RRAM crossbar array for matrix-vector multiplication // The 20th Asia and South Pacific Design Automation Conference, Chiba, Japan, 2015. P. 106–111. DOI: 10.1109/ASPDAC.2015.7058989.
  12. 12. Xu Q., Wang J., Yuan B. et al. Reliability-Driven Memristive Crossbar Design in Neuromorphic Computing Systems // IEEE Transactions on Automation Science and Engineering, 2023. V. 20. № 1. P. 74–87. DOI: 10.1109/TASE.2021.3125065.
  13. 13. Thomas S. A., Vohra S. K., Kumar R., Sharma R., Das D. M. Analysis of Parasitics on CMOS based Memristor Crossbar Array for Neuromorphic Systems // IEEE International Midwest Symposium on Circuits and Systems (MWSCAS), Lansing, MI, USA, 2021. P. 309–312. DOI: 10.1109/MWSCAS47672.2021.9531867.
  14. 14. Zhang L., Borggreve D., Vanselow F., Brederlow R. Impact of Parasitic Wire Resistance on Accuracy and Size of Resistive Crossbars // IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), Daegu, Korea, 2021. P. 1–5. DOI: 10.1109/ISCAS51556.2021.9401279.
  15. 15. Kim H., Mahmoodi M.R., Nili H. 4K-memristor analog-grade passive crossbar circuit // Nature Communications, 2021. V. 12. 5198. https://doi.org/10.1038/s41467-021-25455-0
  16. 16. Bayat F.M., Prezioso M., Chakrabarti B. et al. Implementation of multilayer perceptron network with highly uniform passive memristive crossbar circuits // Nature Communications, 2018. V. 9. 2331. https://doi.org/10.1038/s41467-018-04482-4
  17. 17. Li Y., Ang K.-W. Hardware Implementation of Neuromorphic Computing Using Large‐Scale Memristor Crossbar Arrays // Advanced Intelligent Systems, 2020. V. 3. № 1. P. 2000137.
  18. 18. Kim S., Hong K., Kim H., Kim M.‐H., Choi W. Overshoot‐Suppressed Memristor Array with AlN Oxygen Barrier for Low‐Power Operation in the Intelligent Neuromorphic Systems // Advanced Intelligent Systems, 2024. V. 2300797. P. 1–13. 10.1002/aisy.202300797.
  19. 19. Deng L. The MNIST database of handwritten digit images for machine learning research // IEEE Signal Processing Magazine, 2012. V. 29. № 6. P. 141–142.
QR
Перевести

Индексирование

Scopus

Scopus

Scopus

Crossref

Scopus

Высшая аттестационная комиссия

При Министерстве образования и науки Российской Федерации

Scopus

Научная электронная библиотека