- PII
- 10.31857/S0544126924020047-1
- DOI
- 10.31857/S0544126924020047
- Publication type
- Article
- Status
- Published
- Authors
- Volume/ Edition
- Volume 53 / Issue number 2
- Pages
- 156-161
- Abstract
- The model is proposed to explain the effects of low dose rate under the radiation influence in bipolar structures, taking into account the effects of subthreshold displacement in high-doped silicon layers. The base current degradation of bipolar transistor is determined of surface and displacement radiation effects in the near-surface base area. The conditions for the enhanced low dose rate sensitivity (ELDRS) in bipolar structures are shown. The presented results of the analysis allow us to explain most of the observed experimental results.
- Keywords
- биполярные ИС низкая интенсивность радиация подпороговое дефектообразование
- Date of publication
- 16.09.2025
- Year of publication
- 2025
- Number of purchasers
- 0
- Views
- 96
References
- 1. Nowlin R.N. et al. Hardness assurance and testing issues for bipolar/BiCMOS devices // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1993. V. 40. No. 6. P. 1686–1691.
- 2. Ionizing radiation effects in MOS devices and circuits / Ed. Ma T.-P., Dressendorfer P. V. New York: John Wiley & Sons, 1989. 608 p.
- 3. Adell P.C., Boch J. Dose and Dose-Rate Effects in Micro-Electronics: Pushing the Limits to Extreme Conditions //2014 IEEE NSREC. Short Course Notebook “Radiation Environments and Their Effects on Devices From Space to Ground”. Paris, France, 2014. p. II-1–II-102.
- 4. Беляков В.В. и др. Методы прогнозирования эффектов полной дозы в элементах современной микроэлектроники //Микроэлектроника. 2003. том 32. № 1. С. 31–46.
- 5. Першенков В.С., Скоробогатов П.К., Улимов В.Н. Дозовые эффекты в изделиях современной микроэлектроники: Учебное пособие. М.: НИЯУ МИФИ, 2011. 172 с.
- 6. Першенков В.С. Дозовые эффекты в изделиях микроэлектроники при воздействии ионизирующих излучений / В кн.: Радиационная стойкость изделий ЭКБ: Научное издание / под ред. А.И. Чумакова. М.: НИЯУ МИФИ, 2015. С. 93–130.
- 7. Pease R. L. et al. ELDRS in Bipolar Linear Circuits: A Review // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2009. V. 56. No. 4. P. 1686–1691.
- 8. Fleetwood D. M. et al. Physical mechanisms contributing to enhanced bipolar gain degradation at low dose rates // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1994. V. 41. No. 6. P. 1871–1883.
- 9. Fleetwood D. M. et al. Radiation effects at low electric fields in thermal, SIMOX, and bipolar-base oxides //IEEE Trans. Nucl. Sci. 1996. V. 43. No. 6. P. 2537–2546.
- 10. Rashkeev S. N. et al. Physical model for enhanced interface-trap formation at low dose rates // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2002. V. 49. No. 6. P. 2650–2655.
- 11. Першенков В.С. и др. Конверсионная модель эффекта низкой интенсивности в биполярных микроэлектронных структурах при воздействии ионизирующего излучения // Микроэлектроника. 2010. Том 39. № 2. С. 102–112.
- 12. Чумаков А.И. Действие космической радиации на ИС. М.: Радио и связь, 2004. 320 с.
- 13. Вавилов В.С., Киселев В.Н., Мукашев Б.Ф. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.: Наука, 1990. 216 с.
- 14. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь, 1981. 248 с.
- 15. Алешина Л.А. Структура аморфных материалов и природа дефектов в них. Электронное учебное пособие. ПетрГУ, 2016.
- 16. Вавилов В.С., Кекелидзе Н.П., Смирнов Л.С. Действие излучений на полупроводники: Учеб. пособие. М.: Наука. Гл. ред. Физ.-мат. Лит., 1988. 182 с.
- 17. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 1. / Пер. с англ. 2-е изд., переработ. и доп. М.: МИР, 1984. 456 с.
- 18. Першенков В.С. и др. Расчет тока поверхностной рекомбинации в биполярных микроэлектронных структурах при воздействии ионизирующего излучения // Микроэлектроника. 2009. Том 38. № 1. С. 21–33.
