- PII
- 10.31857/S0544126924010017-1
- DOI
- 10.31857/S0544126924010017
- Publication type
- Article
- Status
- Published
- Authors
- Volume/ Edition
- Volume 53 / Issue number 1
- Pages
- 3-7
- Abstract
- The paper presents the results of studies of C–V characteristics of GaAs/In0.53Ga0.47As HEMT before and after neutron irradiation with a fluence of (6.3 ± 1.3) × 1014 cm–2. Based on the experimentally obtained characteristics, the effective electron distribution profiles of the structure were calculated before and after radiation impact. The effect of radiation defects on the δ-layers of the structure was analyzed.
- Keywords
- AlGaAs/InGaAs/GaAs DpHEMT нейтронное воздействие эффективный профиль концентрации
- Date of publication
- 16.09.2025
- Year of publication
- 2025
- Number of purchasers
- 0
- Views
- 91
References
- 1. Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах. М.: Энергоатомиздат, 1989. 256 с.
- 2. Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Хазанова С.В., Григорьева Н.Н., Голиков О.Л., Иванов А.Б., Пузанов А.С. Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора ~100 нм // Физика и техника полупроводников. Т. 54. № 9. С. 968–973.
- 3. Петровская А.Н., Зубков В.И. Вольт-фарадные измерения гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs в диапазоне температур от 10 до 320 K // Физика и техника полупроводников. 2009. Т. 43. № 10. С. 1368–1373.
- 4. Фролов Д.С., Яковлев Г.Е., Зубков В.И. Техника электрохимического вольт-фарадного профилирования сильно легированных структур с резким профилем распределения примеси // Физика и техника полупроводников. 2019. Т. 53. № 2. С. 281–286.
- 5. Енишерлова К.Л., Колковский Ю.В., Бобров Е.А., Темпер Э.М., Капилин С.А. Влияние дефектов с глубокими уровнями на C–V-характеристики мощных AlGaN/GaN/SiC HEMT // Микроэлектроника. 2019. Т. 48. № 1. С. 47–55.
- 6. Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Тихов С.В., Байдусь Н.В. Моделирование эффективного профиля концентрации в гетероструктурах InGaAs/GaAs с delta-легированными слоями // Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. № 1. С. 53–57.
- 7. Яковлев Г.Е., Дорохин М.В., Зубков В.И., Дудин А.Л. и др. Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями // Физика и техника полупроводников. 2018. Т. 52. № 8. С. 873–880.
- 8. Солтанович О.А., Якимов Е.Б. Анализ температурных зависимостей вольт-фарадных характеристик светоизлучающих структур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами // Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46. № 12. С. 1597–1603.
- 9. Lei W., Offer M., Lorke A. et al. Probing the band structure of InAs/GaAs quantum dots by capacitance-voltage and photoluminescence spectroscopy // APPLIED PHYSICS LETTERS. 2008. V. 92. P. 193111-1–193111-3.
- 10. Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Хананова А.В., Оболенский С.В. и др. Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT-структур и полевых транзисторов // Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. № 12. С. 1599–1604.
- 11. Brounkov P.N., Benyattou T., Guillotb G. Simulation of the capacitance-voltage characteristics of a single‐quantum‐well structure based on the self‐consistent solution of the Schrödinger and Poisson equations // J. Appl. Phys. 80 (2), 15 July 1996.
- 12. Оболенский С.В., Волкова Е.В., Логинов А.Б. и др. Комплексное исследование кластеров радиационных дефектов в GaAs-структурах после нейтронного воздействия // Письма в журнал технической физики. 2021. Т. 47. № 5. С. 38–41.
- 13. Вентцель Е.С. Теория вероятностей. М.: Наука, 1969. 576 с.
- 14. Кривулин Д.О., Пашенькин И.Ю., Горев Р.В., Юнин П.А., Сапожников M.В., Грунин А.В., Захарова С.А., Леонтьев В.Н. Влияние радиационного воздействия на магнитные свойства пленок ферромагнетик/IrMn с обменным сдвигом // Физика и техника полупроводников. 2023. Т. 93. № 7. С. 907–912.
