- Код статьи
- 10.31857/S0544126923700515-1
- DOI
- 10.31857/S0544126923700515
- Тип публикации
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 52 / Номер выпуска 5
- Страницы
- 431-440
- Аннотация
- Мемристоры (элементы энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти) на основе электроформованных открытых “сэндвич”–МДМ-структур изготавливались по тонкоплeночной технологии. Исследования процесса электроформовки и особенностей вольтамперных характеристик после его проведения для структур с различными материалами электродов показали, что в случае выполнения анода из вольфрама удаeтся минимизировать вероятность электрического пробоя при электроформовке и последующем функционировании элементов памяти. Это справедливо при любой позиции анода в МДМ-структуре: как верхней, так и нижней. Тем не менее, экспериментально показано, что вольфрам не является оптимальным материалом. Изготовление анода из молибдена сохранило все достоинства конструкции с вольфрамом, а кроме того, привело к заметному уменьшению напряжения электроформовки, что может обеспечить большую надeжность этого процесса. Полученные результаты могут использоваться при оптимизации конструкции элемента памяти.
- Ключевые слова
- мемристор элемент памяти МДМ-структуры материал электрода электроформовка проводящая среда проводящая наноструктура
- Дата публикации
- 16.09.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 20
Библиография
- 1. Abunahla H., Mohammad B. Memristor Device Overview. In: Memristor Technology: Synthesis and Modeling for Sensing and Security Applications. Analog Circuits and Signal Processing. Cham: Springer. 2018. 106 p.
- 2. Sun W., Gao B., Chi M., Xia Q., Yang J.J., Qian H., Wu H. Understanding memristive switching via in situ characterization and device modeling // Nat. Commun. 2019. V. 10. P. 3453-1–13.
- 3. Ielmini D. Resistive switching memories based on metal oxides: mechanisms, reliability and scaling // Semicond. Sci. Technol. 2016. V. 31. P. 063002-1–25.
- 4. Mehonic A., Shluger A.L., Gao D., Valov I., Miranda E., Ielmini D., Bricalli A., Ambrosi E., Li C., Yang J.J., Xia Q., Kenyon A.J. Silicon Oxide (SiOx): A Promising Material for Resistance Switching? // Adv. Mater. 2018. P. 1801187-1–21.
- 5. Тихов C.B., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Королев Д.С., Белов А.И., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе SiOx // ЖТФ. 2016. Т. 86. Вып. 5. С. 107–111.
- 6. Захаров П.С., Итальянцев А.Г. Эффект переключения электрической проводимости в структурах металл–диэлектрик–металл на основе нестехиометрического оксида кремния // Труды МФТИ. 2015. Т. 7. № 2. С. 113–118.
- 7. Мордвинцев В.М., Кудрявцев С.Е., Левин В.Л. Электроформовка как процесс самоформирования проводящих наноструктур для элементов энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти // Российские нанотехнологии. 2009. Т. 4. № 1–2. С. 174–182.
- 8. Мордвинцев В.М., Кудрявцев С.Е., Левин В.Л. Высокостабильная энергонезависимая электрически перепрограммируемая память на самоформирующихся проводящих наноструктурах // Российские нанотехнологии. 2009. Т. 4. № 1–2. С. 183–191.
- 9. Mordvintsev V.M., Gorlachev E.S., Kudryavtsev S.E. A mechanism for the formation of a conducting medium in memristers based on electroformed open sandwich MDM structures // Russian Microelectronics. 2022. V. 51. № 4. P. 255–263.
- 10. Mordvintsev V.M., Kudryavtsev S.E. Effect of constructional features of the insulating gap of open TiN–SiO2–W and Si–SiO2–W “sandwich” structures on the process of their electroforming // Russian Microelectronics. 2017. V. 46. № 4. P. 243–251.
- 11. Mordvintsev V.M., Naumov V.V., Simakin S.G. Secondary Ion Mass Spectrometry Study of the Formation of a Nanometer Oxide Film on a Titanium Nitride Surface // Russian Microelectronics. 2016. V. 45. № 4. P. 242–255.
