- Код статьи
- 10.31857/S0544126923600264-1
- DOI
- 10.31857/S0544126923600264
- Тип публикации
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 52 / Номер выпуска 6
- Страницы
- 481-488
- Аннотация
- Представлены результаты исследований изменения электрофизических параметров p-i-n-фотодиодов изготовленных на пластинах монокристаллического кремния p-типа проводимости ориентации (100) с ρ = 1000 Ом см, при облучении γ-квантами от источника 60Со. Установлено, что в результате облучения p-i-n-фотодиодов дозами до 2 × 1015 квант/см2 происходит увеличение обратного темнового тока более, чем на порядок. Однако форма кривой зависимости тока от приложенного обратного напряжения облученных p-i-n-фотодиодов качественно не изменяется, как и для исходных приборов имеют место три области с различной зависимостью тока от напряжения: сублинейной, суперлинейной и линейной, обусловленные различными механизмами генерационно-рекомбинационных процессов в области обеднения p-n-перехода. Основной причиной возрастания обратного тока p-i-n-фотодиодов в результате облучения γ-квантами является образование генерационно-рекомбинационных центров радиационного происхождения вследствие конденсация первичных радиационных дефектов (вакансий и/или собственных междоузельных атомов) на технологических остаточных дефектах структуры, сформировавшихся как во время выращивания монокристаллов кремния, так и при последующих высокотемпературных обработках в процессе формирования приборов.
- Ключевые слова
- <i>p-i-n-</i>фотодиод барьерная емкость темновой ток γ-кванты <sup>60</sup>Со радиационные дефекты
- Дата публикации
- 16.09.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 16
Библиография
- 1. Pereira do Carmo J., Moebius B., Pfennigbauer M., Bond R., Bakalski I., Foster M., Bellis S., Humphries M., Fisackerly R., Houdou B. Imaging lidars for space applications // Novel Optical Systems Design and Optimization XI.2008. V. 7061. P. 70610J-01‒70610J-12.
- 2. De Carlo P.M., Roberto L., Marano G., L’Abbate M., Oricchio D., Venditti P. // Intersatellite link for earth observation satellites constellation // SPACEOPS, Roma, Italy. 2006. P. 19–23.
- 3. Оджаев В.Б., Петлицкий А.Н., Просолович В.С., Филипеня В.А., Шестовский Д.В., Явид В.Ю., Янковский Ю.Н., Мавланов Г.Х., Исмайлов Б.К., Кенжаев З.Т. Электрофизические параметры p-i-n-фотодиодов // Сборник научных трудов II международной научной конференции “Наноструктурные полупроводниковые материалы в фотоэнергетике”, Ташкент, Узбекистан, 19–20 ноября 2021. Ташкент: ТашГТУ, 2021. С. 24–29.
- 4. Sze S.M., Lee M.K. Semiconductor Devices: Physics and Technology. Pub. 3. John Wiley & Sons Singapore Pte. Limited, 2012. 582 p.
- 5. Вопросы радиационной технологии полупроводников / Под ред. Смирнова Л.С. Новосибирск: Изд-во “Наука”, Сибирское отделение, 1980. 296 с.
- 6. Макаренко Л.Ф., Ластовский С.Б., Гаубас Э., Павлов Е., Молл М., Якушевич А.С., Мурин Л.И. Инжекционный отжиг комплекса собственное димеждоузлие–кислород в кремнии p-типа // Весці Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі. Серыя фізіка-матэматычных навук. 2018. Т. 54. № 2. С. 220–228.
