RAS Nano & ITМикроэлектроника Russian Microelectronics

  • ISSN (Print) 0544-1269
  • ISSN (Online) 3034-5480

Контактно-транспортные и автоэмиссионные свойства низкоразмерных 2D углеродных гетероструктур

PII
10.31857/S0544126922700168-1
DOI
10.31857/S0544126922700168
Publication type
Status
Published
Authors
Volume/ Edition
Volume 52 / Issue number 1
Pages
71-76
Abstract
Приведены результаты электрических при комнатной температуре и автоэмиссионных измерений низкоразмерных 2D углеродных гетероструктур с различным электронным обогащением слоев. Установлено, что с уменьшением толщины обедненного электронами углеродного слоя до величины сравнимой с длиной волны де Бройля за счет размерного квантования увеличивается прозрачность потенциальных барьеров, которые приводят к усилению выпрямляющих свойств низкоразмерных углеродных гетероструктур и, более чем на порядок увеличивают максимальные полевые токи катодных матриц на их основе.
Keywords
Date of publication
16.09.2025
Year of publication
2025
Number of purchasers
0
Views
16

References

  1. 1. Фурсей Г.Н., Поляков М.А., Кантонистов А.А., Яфясов А.М., Павлов Б.С., Божевольнов В.Б. Автоэлектронная и взрывная эмиссия из графеноподобных структур // ЖТФ. 2013. Т. 83. Вып. 6. С. 71‒77.
  2. 2. Усанов Д.А., Яфаров Р.К. Методы получения и исследования самоорганизующихся наноструктур на основе кремния и углерода // Учеб.-метод. пособие для студентов фак. нано- и биомед. технологий. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2011. 124 с.
  3. 3. Давидович М.В., Яфаров Р.К. Автоэмиссионная шахматная структура на основе алмазографитовых кластеров // ЖТФ. 2018. Т. 88. Вып. 6. С. 283–293.
  4. 4. Яфаров Р.К., Нефедов Д.В. Влияние электропроводности углеродных пленочных нанокомпозитов на автоэмиссионные характеристики планарно-торцевых источников электронов // Радиотехника. 2019 № 7(10). С. 45–51.
  5. 5. Яфаров Р.К., Нефедов Д.В., Сторублев А.В. Вакуумно-плазменные процессы при экстремальной полевой эмиссии в алмазографитовых источниках электронов. // Изв. Сарат. ун-та. Нов. сер. Сер. Физика. 2021. Т. 20. Вып. 1. С. 69–89.
  6. 6. Mori T., Hamaguchi C., Shibatomi A. Hot electron effect in short n+ – n – n+ GaAs structures // Jap. J. Appl. Phys. 1984. V. 23. № 2. P. 212–215.
  7. 7. Яфаров Р.К. Влияние плазмохимической модификации поверхности на электронный транспорт и работу выхода в кремниевых кристаллах // ФТП. 53 (1). 18 (2019).
  8. 8. Яфаров Р.К. Автоэмиссия многоострийных катодных матриц на кремнии p-типа в сильных импульсных электрических полях // Письма в ЖТФ. 45 (9). 3 (2019).
  9. 9. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977. 672 с.
  10. 10. Блохинцев Д. И. Основы квантовой механики. М.: Наука, 1983. 664 с.
QR
Translate

Индексирование

Scopus

Scopus

Scopus

Crossref

Scopus

Higher Attestation Commission

At the Ministry of Education and Science of the Russian Federation

Scopus

Scientific Electronic Library