- PII
- 10.31857/S0544126922030048-1
- DOI
- 10.31857/S0544126922030048
- Publication type
- Status
- Published
- Authors
- Volume/ Edition
- Volume 52 / Issue number 1
- Pages
- 68-70
- Abstract
- A significant increase in the fill factor of Schottky matrices is achieved by reading the charge accu-mulated in the Schottky diode not by using charge-coupled device (CCD) registers but by injecting it into the signal bus, similarly to charge-injected device (CID) structures on narrow-gap semiconductors. In this case, the multielement matrix contains horizontal buses to poll the elements of the selected row, vertical signal lines, and a metal–oxide–semiconductor (MOS) switch for connecting the polled column and the matrix of photosensitive elements, each consisting of a photosensitive Schottky diode and a MOS switch.
- Keywords
- барьер Шоттки силицид иридия геометрический шум фоточувствительность Шоттки-матрицы отжиг диодные структуры
- Date of publication
- 16.09.2025
- Year of publication
- 2025
- Number of purchasers
- 0
- Views
- 19
References
- 1. Курбатов J.H. Оптоэлектроника видимого и инфракрасного диапазонов спектра // М.: изд. МФТИ, 1999. 320 с.
- 2. Справочник по инфракрасной технике (ред. Волф У., Цисис Г., перевод с англ. под ред. Мирошникова М.М., Васильченко H.B.). М.: “Мир”, 1999. 472 с.
- 3. Иванов В.Г., Иванов Г.В., Каменев А.А. Многоэлементные ИК-приемники на основе барьеров Шоттки, чувствительные к излучению с энергией квантов меньше высоты потенциального барьера // Оптический журн. 2008. № 8. С. 53–59.
- 4. Иванов В.Г., Иванов Г.В., Каменев А.А. Способ увеличения граничной длины волны ИК-детектора с барьером Шоттки, ИК-детектор и фотоприемная матрица, чувствительная к ИК-излучению: Пат. 2335823 Российской Федерации от 23.10.2006.
